کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971545 | 1450526 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of gate-to-source/drain misalignments on source-side injection Schottky barrier charge-trapping memory cells evaluated using numerical programming-trapping iterations
ترجمه فارسی عنوان
اثر عدم تعادل دروازه به منبع / تخلیه در ورودی منبع ورودی شاتکی مانع شارژ سلول های حافظه با دامنه با استفاده از تکرار برنامه ریزی تکراری برنامه ریزی عددی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
عدم تعادل دروازه به منبع / تخلیه، موانع شاتکی، تزریق منبع حافظه تسخیر شارژ،
ترجمه چکیده
این کار عددی اثرات عدم تقارن دروازه به منبع / تخلیه در سلولهای حافظه مانع شاتکی مانع از ورودی منبع را روشن می کند. جفت شدن موانع و تله شاتکی موجب کاهش بار تزریق شوتیکی و تزریق منبع می شود، در حالی که موانع شاتکی با بار شارژ باید همزمان با موقعیت دقیق اتصالات فلزی / تخلیه در نظر گرفته شود. تکرارهای تکراری برنامه نویسی عددی برای بررسی توزیع تزریقهای الکترون و هزینه های تسخیر در سلول های متصل شده به شارژ مورد استفاده قرار گرفت و به بحث در مورد تفاوت مکانیزم های مکانیکی در سلول های هم تراز شده، همپوشانی و زیر پایداری اشاره کرد. سلولهای همپوشانی به علت طول موثر کوتاهتر، موجب برنامه ریزی و خواندن جریانهای نسبتا بالا می شوند. با این حال، سلول های زیر پایدار به شدت از تخریب جریان تخلیه الکتریکی، تزریق گرمای حامل و تغییر ولتاژ آستانه به دلیل مانع تونل زنی گسترده، کاهش میدان الکتریکی و محل تزریق نامناسب رنج می برند. همپوشانی به راحتی دروازه به منبع / تخلیه باید در خاطرات تسخیر مانع شاتکی طراحی شود تا از تعرفه های تحت فشار جلوگیری شود، برنامه ریزی برنامه ریزی مطلوب و عملکرد خواندن را تضمین کند.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
This work numerically elucidates the effects of gate-to-source/drain misalignments on source-side injection Schottky barrier charge-trapping memory cells. The coupling of Schottky barriers and trap charges generate particular Schottky barrier lowering and source-side injection, while the charge-coupled Schottky barriers must be considered concurrently with the precise positions of metallic source/drain junctions. Numerical programming-trapping iterations were employed to examine the distribution of electron injections and trapped charges in the charge-coupled cells, and to discuss the differences of physical mechanisms among the aligned, overlapped, and underlapped cells. The overlapped cells produce a mildly high programming and reading currents because of the shorter effective lengths. However, the underlapped cells suffer severely from the degradation of electron drain current, hot-carriers injection, and threshold-voltage shift because of widened tunneling barrier, reduced electric field, and invalid injection location. Mildly gate-to-source/drain overlap should be designed in Schottky barrier charge-trapping memories to avoid the underlapped offsets, ensuring favorable programming and reading performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 74, July 2017, Pages 9-14
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 74, July 2017, Pages 9-14
نویسندگان
Chun-Hsing Shih, Yen-Hsiang Lo, Yu-Hsuan Chen, Jr-Jie Tsai,