کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4971545 1450526 2017 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of gate-to-source/drain misalignments on source-side injection Schottky barrier charge-trapping memory cells evaluated using numerical programming-trapping iterations
ترجمه فارسی عنوان
اثر عدم تعادل دروازه به منبع / تخلیه در ورودی منبع ورودی شاتکی مانع شارژ سلول های حافظه با دامنه با استفاده از تکرار برنامه ریزی تکراری برنامه ریزی عددی
کلمات کلیدی
عدم تعادل دروازه به منبع / تخلیه، موانع شاتکی، تزریق منبع حافظه تسخیر شارژ،
ترجمه چکیده
این کار عددی اثرات عدم تقارن دروازه به منبع / تخلیه در سلولهای حافظه مانع شاتکی مانع از ورودی منبع را روشن می کند. جفت شدن موانع و تله شاتکی موجب کاهش بار تزریق شوتیکی و تزریق منبع می شود، در حالی که موانع شاتکی با بار شارژ باید همزمان با موقعیت دقیق اتصالات فلزی / تخلیه در نظر گرفته شود. تکرارهای تکراری برنامه نویسی عددی برای بررسی توزیع تزریقهای الکترون و هزینه های تسخیر در سلول های متصل شده به شارژ مورد استفاده قرار گرفت و به بحث در مورد تفاوت مکانیزم های مکانیکی در سلول های هم تراز شده، همپوشانی و زیر پایداری اشاره کرد. سلولهای همپوشانی به علت طول موثر کوتاهتر، موجب برنامه ریزی و خواندن جریانهای نسبتا بالا می شوند. با این حال، سلول های زیر پایدار به شدت از تخریب جریان تخلیه الکتریکی، تزریق گرمای حامل و تغییر ولتاژ آستانه به دلیل مانع تونل زنی گسترده، کاهش میدان الکتریکی و محل تزریق نامناسب رنج می برند. همپوشانی به راحتی دروازه به منبع / تخلیه باید در خاطرات تسخیر مانع شاتکی طراحی شود تا از تعرفه های تحت فشار جلوگیری شود، برنامه ریزی برنامه ریزی مطلوب و عملکرد خواندن را تضمین کند.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
اثر عدم تعادل دروازه به منبع / تخلیه در ورودی منبع ورودی شاتکی مانع شارژ سلول های حافظه با دامنه با استفاده از تکرار برنامه ریزی تکراری برنامه ریزی عددی
چکیده انگلیسی
This work numerically elucidates the effects of gate-to-source/drain misalignments on source-side injection Schottky barrier charge-trapping memory cells. The coupling of Schottky barriers and trap charges generate particular Schottky barrier lowering and source-side injection, while the charge-coupled Schottky barriers must be considered concurrently with the precise positions of metallic source/drain junctions. Numerical programming-trapping iterations were employed to examine the distribution of electron injections and trapped charges in the charge-coupled cells, and to discuss the differences of physical mechanisms among the aligned, overlapped, and underlapped cells. The overlapped cells produce a mildly high programming and reading currents because of the shorter effective lengths. However, the underlapped cells suffer severely from the degradation of electron drain current, hot-carriers injection, and threshold-voltage shift because of widened tunneling barrier, reduced electric field, and invalid injection location. Mildly gate-to-source/drain overlap should be designed in Schottky barrier charge-trapping memories to avoid the underlapped offsets, ensuring favorable programming and reading performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 74, July 2017, Pages 9-14
نویسندگان
, , , ,