کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971547 | 1450526 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Threshold-voltage variability analysis and modeling for junctionless double-gate transistors
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل متغیرهای ولتاژ آستانه و مدل سازی برای ترانزیستورهای دو طرفه بدون اتصال
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
تنش آستانه ولتاژ، دوپینگ گسسته تصادفی، نوسان دافنت تصادفی، ترانزیستور دو درب
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 74, July 2017, Pages 22-26
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 74, July 2017, Pages 22-26
نویسندگان
Chun-Yu Chen, Jyi-Tsong Lin, Meng-Hsueh Chiang,