Keywords: نوسان دافنت تصادفی; Threshold voltage variation; Random discrete doping; Random dopant fluctuation; Double-gate transistor;
مقالات ISI نوسان دافنت تصادفی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Suppression of threshold voltage variability in MOSFETs by adjustment of ion implantation parameters
Keywords: نوسان دافنت تصادفی; Random dopant fluctuation; Impedance field method; Threshold voltage variability; Sense amplifier; Ion implantation; MOSFET;
Line edge roughness induced threshold voltage variability in nano-scale FinFETs
Keywords: نوسان دافنت تصادفی; FinFET; Line edge roughness; Oxide thickness variation; Random dopant fluctuation; Threshold voltage variability; Work function variation;
Threshold voltage variation-immune FinFET design with metal-interlayer-semiconductor source/drain structure
Keywords: نوسان دافنت تصادفی; CMOS; FinFET; Metal-interlayer-semiconductor; Random dopant fluctuation; Variation
Analytical model for random dopant fluctuation in double-gate MOSFET in the subthreshold region using macroscopic modeling method
Keywords: نوسان دافنت تصادفی; Random dopant fluctuation; Double-gate metal-oxidesemiconductor transistor; Analytical model; Macroscopic modeling method; Green's function;
Analytical modeling of cutoff frequency variability reserving correlations due to random dopant fluctuation in nanometer MOSFETs
Keywords: نوسان دافنت تصادفی; Cutoff frequency; Analytical modeling; Nanometer MOSFET; Random dopant fluctuation
Reducing random-dopant fluctuation impact using footer transistors in many-core systems
Keywords: نوسان دافنت تصادفی; Random dopant fluctuation; Process variation; Core speed variation; System level modeling; Voltage scaling; Multi-Vdd design; Multi-Vt design; Footer transistor; Simulation; Many-core; Multi-core; Process voltage and temperature variations
The potential of Fe-FET for robust design under variations: A compact modeling study
Keywords: نوسان دافنت تصادفی; Fe-FET; Modeling; Threshold voltage; Variation; Random dopant fluctuation