کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971568 | 1450524 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evaluation of effective stress times and stress levels from mission profiles for semiconductor reliability
ترجمه فارسی عنوان
بررسی زمان های استرس موثر و سطوح استرس از نمایه های ماموریت برای قابلیت اطمینان نیمه هادی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
الکترونیک خودرو، مشخصات ماموریت، قابلیت اطمینان نیمه هادی، مدل سازی استرس تجمعی، استرس موثر،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
For the experimental validation metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors are fabricated and stressed by voltage and temperature. The received reliability data fit the theoretical predictions within the statistical variations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 38-41
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 38-41
نویسندگان
A. Hirler, J. Biba, A. Alsioufy, T. Lehndorff, T. Sulima, H. Lochner, U. Abelein, W. Hansch,