کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971570 | 1450524 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of errors in estimating wearout characteristics of time-dependent dielectric breakdown using system-level accelerated life test
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل خطاها در برآورد ویژگی های سایش از تجزیه دی الکتریک وابسته به زمان با استفاده از آزمون سطح زندگی شتاب در سطح سیستم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Reliability issues exacerbated by small feature sizes in modern VLSI circuits challenge an accurate reliability assessment using the conventional approach of employing device-level accelerated life test. Since such device-level reliability assessment ignores tolerance of a circuit or a system to device wearout failures, to accurately estimate circuit/system reliability, we need to directly test a circuit or a system for extraction of wearout parameters in operating environments. In this paper, we propose a system-level accelerated life test to compliment device-level accelerated life test. We also investigate errors in estimating wearout parameters from time-dependent dielectric breakdown (TDDB) from experimental results from system-level accelerated life test and note differences from device-level reliability assessment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 47-52
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 47-52
نویسندگان
Dae-Hyun Kim, Linda Milor,