کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971598 | 1450524 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lock-in thermal laser stimulation for non-destructive failure localization in 3-D devices
ترجمه فارسی عنوان
قفل در تحریک لیزر حرارتی برای مکانیزم شکست غیر مخرب در دستگاه های 3 بعدی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
We report a new non-destructive method to localize interconnection failures in 3-D devices. The scanning optical microscopy (SOM) technique is based on lock-in thermal laser stimulation (LI-TLS) and uses thermal waves to non-destructively map the current path in a 3-D device. We validate the method with test structures and show how the magnitude and phase of a propagating thermal wave may provide valuable 3-dimensional information on the failure location. We apply the technique on a short failed chain structure in a four level chip stack with an intensity modulated laser as a thermal wave injector and the structure under test as a detector. We confirm our results by physical failure analysis through a selective cross sectioning process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 188-193
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 188-193
نویسندگان
K.J.P. Jacobs, T. Wang, M. Stucchi, M. Gonzalez, K. Croes, I. De Wolf, E. Beyne,