کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971684 | 1450531 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An enhanced MOSFET threshold voltage model for the 6-300Â K temperature range
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An enhanced threshold voltage model for MOSFETs operating over a wide range of temperatures (6-300K) is presented. The model takes into account the carrier freeze-out effect and the external field-assisted ionization to address the temperature dependence of MOS transistors. For simplicity, an empirical function is incorporated to predict short channel effects over the temperature range. The results from the proposed model demonstrate good agreement with NMOS and PMOS transistors measured from fabricated chips.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 69, February 2017, Pages 36-39
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 69, February 2017, Pages 36-39
نویسندگان
Nguyen Cong Dao, Abdallah El Kass, Mostafa Rahimi Azghadi, Craig T. Jin, Jonathan Scott, Philip H.W. Leong,