کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971840 | 1450536 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the prediction of radiation-induced SETs in flash-based FPGAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: On the prediction of radiation-induced SETs in flash-based FPGAs On the prediction of radiation-induced SETs in flash-based FPGAs](/preview/png/4971840.png)
چکیده انگلیسی
The present work proposes a methodology to predict radiation-induced Single Event Transient (SET) phenomena within the silicon structure of Flash-based FPGA devices. The method is based on a MonteCarlo analysis, which allows to calculate the effective duration and amplitude of the SET once generated by the radiation strike. The method allows to effectively characterize the sensitivity of a circuit against the transient effect phenomenon. Experimental results provide a comparison between different radiation tests data, performed with different Linear Energy Transfer (LET) and the respective sensitiveness of SETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 230-234
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 230-234
نویسندگان
S. Azimi, B. Du, L. Sterpone,