کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4971875 1450536 2016 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate oxide degradation of SiC MOSFET under short-circuit aging tests
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Gate oxide degradation of SiC MOSFET under short-circuit aging tests
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 415-418
نویسندگان
, , , , ,