![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Investigation of degradation mechanisms in low-voltage p-channel power MOSFETs under High Temperature Gate Bias stress
Keywords: قدرت MOSFET; Power MOSFET; Bias temperature instability; High Temperature Gate Bias;