کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5025058 | 1470579 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reduction of dark current and gain increase in InAs avalanche photodiode with AlGaAs blocking layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This article presents a new method to reduce the dark current and increase the avalanche gain in InAs avalanche photodiode (APD) by adding Al0.84Ga0.16As blocking layer. This photodiode has displayed a high avalanche gain around 400 in 8Â V bias voltage. Furthermore, a very low dark current and low excess noise factor between 0.1 and 1.9 in a temperature of 180Â K to 300Â K is observed. Finally, in comparison with other devices, a considerable increase of the gain along with decrease in dark current is observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 148, November 2017, Pages 268-274
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 148, November 2017, Pages 268-274
نویسندگان
Mojtaba Nouri, Abbas Ghadimi,