کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5102732 | 1480090 | 2017 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modelling the structure of disordered cerium oxide thin films
ترجمه فارسی عنوان
مدل سازی ساختار فیلم های نازک اکسید سریم اختلال
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
جامدات اختلال، رشد آماری، ساختار جامدات، واگن های مخلوط، سیریا،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
ریاضیات
فیزیک ریاضی
چکیده انگلیسی
Cerium oxide is an interesting mixed valence compound of great technological importance. We model the growth of thin films of this substance by describing the statistical nucleation of atomic units containing Ce3+ and Ce4+. The theoretical results are compared with available experimental values of the magnetic susceptibility of the material, which is related to the proportion of magnetic atoms in the solid. The model is able to predict the composition of the final solid under different preparation conditions, namely the oxygen content of the precursor and the temperature of the substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 483, 1 October 2017, Pages 259-265
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 483, 1 October 2017, Pages 259-265
نویسندگان
José Juan Peña Leal, Rafael A. Barrio,