کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5144156 | 1496814 | 2017 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ladder-type silsesquioxane copolymer gate dielectrics for gating solution-processed IGZO field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The ladder-type poly(phenyl-co-methacryl silsesquioxane) (PPMSQ) copolymer was applied as a gate dielectric in IGZO FETs.252
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 43, April 2017, Pages 41-46
Journal: Organic Electronics - Volume 43, April 2017, Pages 41-46
نویسندگان
Min Je Kim, Young Min Heo, Jeong Ho Cho,