کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5144156 1496814 2017 18 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ladder-type silsesquioxane copolymer gate dielectrics for gating solution-processed IGZO field-effect transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Ladder-type silsesquioxane copolymer gate dielectrics for gating solution-processed IGZO field-effect transistors
چکیده انگلیسی
The ladder-type poly(phenyl-co-methacryl silsesquioxane) (PPMSQ) copolymer was applied as a gate dielectric in IGZO FETs.252
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 43, April 2017, Pages 41-46
نویسندگان
, , ,