کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5347262 | 1503581 | 2016 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Schottky barrier measurements on individual GaAs nanowires by X-ray photoemission microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Schottky barrier measurements on individual GaAs nanowires by X-ray photoemission microscopy Schottky barrier measurements on individual GaAs nanowires by X-ray photoemission microscopy](/preview/png/5347262.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 386, 15 November 2016, Pages 72-77
Journal: Applied Surface Science - Volume 386, 15 November 2016, Pages 72-77
نویسندگان
Lorenzo di Mario, Stefano Turchini, Giovanni Zamborlini, Vitaly Feyer, Lin (ç°ç³), Claus M. Schneider, Silvia Rubini, Faustino Martelli,