کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5347824 1503591 2016 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
P-type Ge epitaxy on GaAs (100) substrate grown by MOCVD
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
P-type Ge epitaxy on GaAs (100) substrate grown by MOCVD
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 376, 15 July 2016, Pages 236-240
نویسندگان
, , , , , , ,