کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5347824 | 1503591 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
P-type Ge epitaxy on GaAs (100) substrate grown by MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 376, 15 July 2016, Pages 236-240
Journal: Applied Surface Science - Volume 376, 15 July 2016, Pages 236-240
نویسندگان
Y.J. Jin, C.K. Chia, H.F. Liu, L.M. Wong, J.W. Chai, D.Z. Chi, S.J. Wang,