کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5348073 | 1503602 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical and physicochemical properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on Si substrate with interfacial layer grown by nitric acid oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrical and physicochemical properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on Si substrate with interfacial layer grown by nitric acid oxidation Electrical and physicochemical properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on Si substrate with interfacial layer grown by nitric acid oxidation](/preview/png/5348073.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 365, 1 March 2016, Pages 376-379
Journal: Applied Surface Science - Volume 365, 1 March 2016, Pages 376-379
نویسندگان
Seung Hyun Kim, Tae Jun Seok, Hyun Soo Jin, Woo-Byoung Kim, Tae Joo Park,