| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5348265 | 1503576 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Atomic nature of the Schottky barrier height formation of the Ag/GaAs(001)-2 Ã 4 interface: An in-situ synchrotron radiation photoemission study
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی تئوریک و عملی
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												
												ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 393, 30 January 2017, Pages 294-298
											Journal: Applied Surface Science - Volume 393, 30 January 2017, Pages 294-298
نویسندگان
												Chiu-Ping Cheng, Wan-Sin Chen, Keng-Yung Lin, Guo-Jhen Wei, Yi-Ting Cheng, Yen-Hsun Lin, Hsien-Wen Wan, Tun-Wen Pi, Raymond T. Tung, Jueinai Kwo, Minghwei Hong,