کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5348265 | 1503576 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic nature of the Schottky barrier height formation of the Ag/GaAs(001)-2Â ÃÂ 4 interface: An in-situ synchrotron radiation photoemission study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 393, 30 January 2017, Pages 294-298
Journal: Applied Surface Science - Volume 393, 30 January 2017, Pages 294-298
نویسندگان
Chiu-Ping Cheng, Wan-Sin Chen, Keng-Yung Lin, Guo-Jhen Wei, Yi-Ting Cheng, Yen-Hsun Lin, Hsien-Wen Wan, Tun-Wen Pi, Raymond T. Tung, Jueinai Kwo, Minghwei Hong,