دانلود مقالات ISI درباره نیمه هادی III-V + ترجمه فارسی

Phosphonate monolayers on InAsSb and GaSb surfaces for mid-IR plasmonics

Keywords: نیمه هادی III-V; Phosphonates; Native oxide layer; III-V semiconductor; Self-assembled monolayers; X-ray photoelectron spectroscopy; Plasmonic enhanced infrared spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Atomic nature of the Schottky barrier height formation of the Ag/GaAs(001)-2 × 4 interface: An in-situ synchrotron radiation photoemission study

Keywords: نیمه هادی III-V; Schottky barrier height; III-V semiconductor; Synchrotron radiation photoemission;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effects of high-energy proton implantation on the luminescence properties of InAs submonolayer quantum dots

Keywords: نیمه هادی III-V; III-V Semiconductor; Ion implantation; Molecular beam epitaxy; Photoluminescence; Submonolayer quantum dots;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A detailed study of the effects of rapid thermal annealing on the luminescence properties of InAs sub-monolayer quantum dots

Keywords: نیمه هادی III-V; III-V semiconductor; Molecular beam epitaxy; Sub-monolayer quantum dots; Rapid thermal annealing; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Line shape and composition of the In 3d5/2 core-level photoemission for the interface analysis of In-containing III-V semiconductors

Keywords: نیمه هادی III-V; Line shape; III-V semiconductor; Photoelectron spectroscopy; Interfacial analysis;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Evolution of porous network in GaSb under normally incident 60 keV Ar+-ion irradiation

Keywords: نیمه هادی III-V; Nanoporous layer; III-V Semiconductor; Ion implantation; Scanning electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Chemical trends and passivation of defects at Al2O3:GaAs/InAs/InP/GaSb interfaces

Keywords: نیمه هادی III-V; III-V semiconductor; MOSFET; Interface defects; Calculation; Passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Room temperature inductively coupled plasma etching of InAs/InSb in BCl3/Cl2/Ar

Keywords: نیمه هادی III-V; Inductive coupled plasma; Etching; III-V semiconductor; InAs; InSb; Microfabrication;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Determination of tetragonal distortion of Al0.69In0.09Ga0.22N/GaN heterostructure by RBS/C and HRXRD

Keywords: نیمه هادی III-V; RBS/C; Tetragonal distortion; III-V semiconductor; HRXRD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices-Past research, present status and key issues for future

Keywords: نیمه هادی III-V; 71.20.Nr; 71.55.Eq; 73.21.Hb; 73.40.Gk; 73.40.Kp; III-V semiconductor; Surface passivation; MISFET; High-k dielectric; Photoluminescence; GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Influence of initial surface reconstruction on the interface structure of HfO2/GaAs

Keywords: نیمه هادی III-V; 68.55.aj; 73.40.Qv; 77.55.+f; 78.68.+m; 81.05.Ea; 81.15.Ef; 85.30.Tv; High-k dielectrics; III-V semiconductor; HfO2; GaAs; MOS interface; XPS; RDS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Surface passivation technology for III-V semiconductor nanoelectronics

Keywords: نیمه هادی III-V; 71.20.Nr; 71.55.Eq; 73.21.Hb; 73.40.Gk; 73.40.Kp; III-V Semiconductor; Surface passivation; Nanoelectronics; MOS structure; High-k dielectric; GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Strain and defect structure of iron implanted In0.53Ga0.47As using high-resolution X-ray diffraction

Keywords: نیمه هادی III-V; 61.72.V; 73.61.E; X-ray diffraction; III-V Semiconductor; Ion implantation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه