کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944039 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical trends and passivation of defects at Al2O3:GaAs/InAs/InP/GaSb interfaces
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Chemical trends and passivation of defects at Al2O3:GaAs/InAs/InP/GaSb interfaces
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 274-277
نویسندگان
, ,