کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5348813 | 1503636 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wet chemical treatment of boron doped emitters on n-type (1Â 0Â 0) c-Si prior to amorphous silicon passivation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The influence of the cleaning process on the amorphous silicon passivation of homojunction emitters is investigated. A significant variation in the passivation quality following different cleaning sequences is not observed, even though differences in cleaning performance are evident. These results point out the effectiveness of our cleaning treatment and provide a hydrogen termination for intrinsic amorphous silicon passivation. A post-deposition treatment improves the passivation level yielding emitter saturation currents determined by Auger recombination in the order of 70Â fA/cm2 and below.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 328, 15 February 2015, Pages 140-145
Journal: Applied Surface Science - Volume 328, 15 February 2015, Pages 140-145
نویسندگان
H. Meddeb, T. Bearda, M. Recaman Payo, I. Abdelwahab, Y. Abdulraheem, H. Ezzaouia, I. Gordon, J. Szlufcik, J. Poortmans,