کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5348936 | 1503609 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of sulfur passivation of InSb (0Â 0Â 1) substrates on molecular-beam homoepitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The aqueous sodium sulfide solution has been used for pre-epitaxial preparation of epi-ready InSb (0Â 0Â 1) substrates for molecular beam epitaxy (MBE) of InSb layers. X-ray photoemission spectroscopy study shows that the S-treated surface of InSb (0Â 0Â 1) substrate generally does not contain a native oxide layer and is covered with a sulfide protecting overlayer. Atomic-force microscopy and transmission electron microscopy have been applied to compare surface topography and structural properties of InSb layers grown by MBE on S-treated and untreated epi-ready InSb (0Â 0Â 1) substrates. The MBE growth of InSb layers with very smooth surface possessing the root-mean-square roughness as low as 0.1Â nm and good structural quality has been demonstrated on the S-treated substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 356, 30 November 2015, Pages 378-382
Journal: Applied Surface Science - Volume 356, 30 November 2015, Pages 378-382
نویسندگان
V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, T.V. Lvova, M.V. Lebedev, P.A. Dement'ev, A.A. Sitnikova, A.N. Semenov, S.V. Ivanov,