کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5349129 1388095 2015 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Examining the free radical bonding mechanism of benzoquinone- and hydroquinone-methanol passivation of silicon surfaces
ترجمه فارسی عنوان
بررسی مکانیزم پیوند رادیکال آزاد بزیوینون- و هیدروکینون-متانول - عبور از سطح سیلیکون
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The surface passivation of p-benzoquinone (BQ) and hydroquinone (HQ) when dissolved in methanol (ME) has been examined through effective lifetime testing of crystalline silicon (c-Si) wafers treated with the aforementioned solutions. Changes in the availability of both photons and protons in the solutions were demonstrated to affect the level of passivation achieved. The requirement of both excess protons and ambient light exposure to maintain high effective lifetimes supports the presence of a free radical species that drives the surface passivation. Surface analysis suggests a 1:1 ratio of HQ-like bonds to methoxy bonds on the c-Si surface after treatment with a BQ/ME solution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 354, Part B, 1 November 2015, Pages 469-474
نویسندگان
, , , , ,