کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349559 | 1388102 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Elimination of double position domains (DPDs) in epitaxial ã111ã-3C-SiC on Si(111) by laser CVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Elimination of double position domains (DPDs) in epitaxial ã111ã-3C-SiC film on Si(111) substrate was conducted by laser chemical vapor deposition (LCVD) without carbonization. Transmission electron microscopy and pole figure were employed to investigate the microstructure and volume fraction of DPDs in the epitaxial layers, respectively. DPDs significantly decreased with decreasing deposition temperature (Tdep) and vanished at Tdep = 1273 K. The mechanism of the elimination of DPDs by LCVD also has been discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 426, 31 December 2017, Pages 662-666
Journal: Applied Surface Science - Volume 426, 31 December 2017, Pages 662-666
نویسندگان
Qingfang Xu, Peipei Zhu, Qingyun Sun, Rong Tu, Meijun Yang, Song Zhang, Lianmeng Zhang, Takashi Goto, Jiasheng Yan, Shusen Li,