کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5349700 1645400 2015 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Time-varying wetting behavior on copper wafer treated by wet-etching
ترجمه فارسی عنوان
رفتار خیس شدن زمان بر روی ویفر مس با اکسید مرطوب درمان می شود
کلمات کلیدی
زاویه تماس، مرطوب کننده اکسید کربن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی

- A thin oxide layer always remains on surfaces of Cu wafers after aqueous etching.
- A pure Cu wafer is obtained by the HAc treatment and the water CA is about 45°.
- The oxide layer and CA grow with time after the Cu wafer is exposed to air.
- Surface roughness and hydrophobicity of pure Cu wafers grow rapidly in vacuum.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 341, 30 June 2015, Pages 37-42
نویسندگان
, , , , , ,