کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349700 | 1645400 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Time-varying wetting behavior on copper wafer treated by wet-etching
ترجمه فارسی عنوان
رفتار خیس شدن زمان بر روی ویفر مس با اکسید مرطوب درمان می شود
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
زاویه تماس، مرطوب کننده اکسید کربن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
- A thin oxide layer always remains on surfaces of Cu wafers after aqueous etching.
- A pure Cu wafer is obtained by the HAc treatment and the water CA is about 45°.
- The oxide layer and CA grow with time after the Cu wafer is exposed to air.
- Surface roughness and hydrophobicity of pure Cu wafers grow rapidly in vacuum.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 341, 30 June 2015, Pages 37-42
Journal: Applied Surface Science - Volume 341, 30 June 2015, Pages 37-42
نویسندگان
Sheng-Hung Tu, Chuan-Chang Wu, Hsing-Chen Wu, Shao-Liang Cheng, Yu-Jane Sheng, Heng-Kwong Tsao,