| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5349700 | 1645400 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Time-varying wetting behavior on copper wafer treated by wet-etching
												
											ترجمه فارسی عنوان
													رفتار خیس شدن زمان بر روی ویفر مس با اکسید مرطوب درمان می شود 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												زاویه تماس، مرطوب کننده اکسید کربن،
																																							
												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی تئوریک و عملی
												
											چکیده انگلیسی
												- A thin oxide layer always remains on surfaces of Cu wafers after aqueous etching.
- A pure Cu wafer is obtained by the HAc treatment and the water CA is about 45°.
- The oxide layer and CA grow with time after the Cu wafer is exposed to air.
- Surface roughness and hydrophobicity of pure Cu wafers grow rapidly in vacuum.
ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 341, 30 June 2015, Pages 37-42
											Journal: Applied Surface Science - Volume 341, 30 June 2015, Pages 37-42
نویسندگان
												Sheng-Hung Tu, Chuan-Chang Wu, Hsing-Chen Wu, Shao-Liang Cheng, Yu-Jane Sheng, Heng-Kwong Tsao, 
											