کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349859 | 1503652 | 2014 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching in HfO2-based atomic layer deposition grown metal-insulator-metal structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We prepared Pt/HfO2/TiN metal-insulator-metal structures for resistive switching experiments. The HfO2 films were prepared by thermal, ozone and plasma assisted atomic layer deposition. The deposition techniques yielded HfO2 films that were conducive to stable and reproducible bipolar resistive switching. We observed that the forming voltage scaled with the HfO2 film thickness. The structures did not show degradation after 104 consecutive resistive switching operations in a millisecond pulsed regime.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 312, 1 September 2014, Pages 112-116
Journal: Applied Surface Science - Volume 312, 1 September 2014, Pages 112-116
نویسندگان
Peter JanÄoviÄ, Boris Hudec, Edmund DobroÄka, Ján Dérer, Ján Fedor, Karol Fröhlich,