دانلود رایگان مقاله ISI : سویه ها و تغییر شکل ها ترانزیستور اثر میدان دوگانه دو لایه آلمانی را بر اساس اصول اولیه طراحی کرده اند

Strain and deformations engineered germanene bilayer double gate-field effect transistor by first principles

Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 418, Part A, 1 October 2017, Pages 308-311

E. Meher Abhinav, Gopalakrishnan Chandrasekaran, S.V. Kasmir Raja,