کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351366 | 1503657 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of post-annealing on Indium Tin Oxide thin films by magnetron sputtering method
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر بعد از انحلال بر روی لایه های نازک اکسید آهن هندی با روش اسپکترومغناطیسی مگنترون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
We report effects of post-annealing on Indium Tin Oxide (ITO) thin films by their physical, electrical, optical, and electronic properties. Carrier concentrations increase up to annealing temperatures of 400 °C, and then decrease at higher annealing temperatures. Burstein-Moss effect occurs as a function of annealing temperature with the highest optical bandgap of 4.17 eV achieved at 400 °C. X-ray photoelectron spectroscopy revealed a â¼0.3 eV shift in the Fermi level of the annealed ITO films at 400 °C, and the shift was reduced for temperatures higher than 400 °C. In addition, the results of curve-fitting for the core levels showed a change of ratios of SnO2 and oxygen in the oxygen deficient regions after annealing. This is correlated to the change of carrier concentration and optical bandgap in the ultraviolet and near-infrared regions at different annealing temperatures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 307, 15 July 2014, Pages 388-392
Journal: Applied Surface Science - Volume 307, 15 July 2014, Pages 388-392
نویسندگان
J.H. Park, C. Buurma, S. Sivananthan, R. Kodama, W. Gao, T.A. Gessert,