کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351383 | 1503657 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(0 0 1) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(0 0 1) surfaces Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(0 0 1) surfaces](/preview/png/5351383.png)
چکیده انگلیسی
We have investigated the valence electronic states of α-sexithiophene (α-6T) on three passivated Si(0 0 1) surfaces, oxidized Si(0 0 1), water-adsorbed Si(0 0 1) and ethylene-adsorbed Si(0 0 1), using ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). At a thickness of α-6T layer below 0.5 nm, clear features of the Ï states are observed for water-adsorbed Si(0 0 1) and ethylene-adsorbed Si(0 0 1), whereas broad features are observed for oxidized Si(0 0 1). This difference is attributed to the formation of well-ordered stacking on water-adsorbed Si(0 0 1) and ethylene-adsorbed Si(0 0 1).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 307, 15 July 2014, Pages 520-524
Journal: Applied Surface Science - Volume 307, 15 July 2014, Pages 520-524
نویسندگان
K. Hiraga, H. Toyoshima, H. Tanaka, K. Inoue, S. Ohno, K. Mukai, J. Yoshinobu, M. Tanaka,