کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351630 | 1503662 | 2014 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of thermophysical properties of crystalline silicon and silicon-rich silicon oxide layers
ترجمه فارسی عنوان
بررسی خواص ترموفیزیکی لایه های اکسید سیلیکون و سیلیکون غنی سیلیکون بلوری
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اکسید سیلیکون، نانوکریستال، آنیلینگ لیزری، معادله حرارتی، رسانایی الکتریکی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The interaction of laser irradiation with SiOx films and process of decomposition SiOx on SiO2 and Si nanocrystals under the action of laser irradiation are investigated. Using the Comsol Multiphysics software package, the mathematical modeling of temperature distribution in a c-Si wafer and also on it's surface are carried out. It is shown that laser pulses can efficiently warm the samples of crystalline silicon. During the laser pulse of 10Â ns with intensity of 52Â MW/cm2 the temperature up to 2100Â K can be reached on the sample surface. The experimental investigation of IR spectra of the initial and laser annealed silicon wafer coated with SiOx film confirmed the phase transformation of silicon oxide films. The changing electrical conductivity of films after laser irradiation points at changing of electron traps as a result of the film structure transformation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 302, 30 May 2014, Pages 213-215
Journal: Applied Surface Science - Volume 302, 30 May 2014, Pages 213-215
نویسندگان
O.O. Gavrylyuk, O.Yu. Semchyk, O.L. Bratus, A.A. Evtukh, O.V. Steblova, L.L. Fedorenko,