کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5352362 | 1388149 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Valence band offset and Schottky barrier at amorphous boron and boron carbide interfaces with silicon and copper
ترجمه فارسی عنوان
نوار غلظت جبران شده و مانع شاتکی در بورون آمورف و کاربید بور با سیلیکن و مس
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
In order to understand the fundamental charge transport in a-B:H and a-BX:H (X = C, N, P) compound heterostructure devices, X-ray photoelectron spectroscopy has been utilized to determine the valence band offset and Schottky barrier present at amorphous boron compound interfaces formed with (1 0 0) Si and polished poly-crystalline Cu substrates. For interfaces formed by plasma enhanced chemical vapor deposition of a-B4-5C:H on (1 0 0) Si, relatively small valence band offsets of 0.2 ± 0.2 eV were determined. For a-B:H/Cu interfaces, a more significant Schottky barrier of 0.8 ± 0.16 eV was measured. These results are in contrast to those observed for a-BN:H and BP where more significant band discontinuities (>1-2 eV) were observed for interfaces with Si and Cu.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 285, Part B, 15 November 2013, Pages 545-551
Journal: Applied Surface Science - Volume 285, Part B, 15 November 2013, Pages 545-551
نویسندگان
Sean W. King, Marc French, Guanghai Xu, Benjamin French, Milt Jaehnig, Jeff Bielefeld, Justin Brockman, Markus Kuhn,