Keywords: گروه Valence جبران می شود; Boron; Carbide; XPS; Valence band offset; Amorphous;
مقالات ISI گروه Valence جبران می شود (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
A simulation study of valence band offset engineering at the perovskite/Cu2ZnSn(Se1-xSx)4 interface for enhanced performance
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Valence band offset; Cu2ZnSn(Se1-xSx)4; SCAPS; MAPbI3 perovskite;
The influence of Si in Ni on the interface modification and the band alignment between Ni and alumina
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Interface bonding; Segregation; In-situ growth; XPS; Valence band offset;
Insertion of the AGS layer at the CIGSe/ITO interface: A way to reduce the formation of the GaOx interfacial phase in CIGSe solar cells
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Semitransparent CIGSe solar cell; Wide bandgap; Ordered defect compound; GaOx interfacial phase; Valence band offset; Roll-over effect in the illuminated J-V curve;
The carrier transport mechanism and band offset at the interface of ZnO/n-Si(111) heterojunction
Keywords: گروه Valence جبران می شود; ZnO/n-Si; Heterojunction; Electrical properties; Valence band offset; Deep level;
Cu2S as ohmic back contact for CdTe solar cells
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Cadmium telluride; Solar cell; Back contact; Copper sulfide; Interface; X-ray photoelectron spectroscopy; Valence band offset;
High-K materials and metal gates for CMOS applications
Keywords: گروه Valence جبران می شود; ALD; atomic layer deposition; CB; conduction band; CBO; conduction band offset; CMOS; complimentary metal oxide semiconductor; CNL; charge neutrality level; CV; capacitance voltage; CVD; chemical vapour deposition; DB; dangling bond; DOS; density of state
Small valence band offsets of non-polar ZnO/Zn1 â xMgxO heterojunctions measured by X-ray photoelectron spectroscopy
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Valence band offset; X-ray photoelectron spectroscopy; Non-polar ZnO/Zn1 â xMgxO heterojunctions; Mg composition; Type-I band alignment;
Interface engineering of Ge using thulium oxide: Band line-up study
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Thulium oxide; Valence band offset; Band gap;
ZnTe/GaAs(2 1 1)B heterojunction valence band discontinuity measured by X-ray photoelectron spectroscopy
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Valence band offset; XPS; Strain; Intermixing; Epitaxy;
Insights gained from computer modeling of heterojunction with instrinsic thin layer “HIT” solar cells
Keywords: گروه Valence جبران می شود; “Heterojunction with Intrinsic Thin layers (HIT)” solar cells; Device modeling; Defects on crystalline silicon wafer; Minority carrier lifetime; Valence band offset
Determination of the valence band offset and minority carrier lifetime in Ge-rich layers on relaxed-SiGe
Keywords: گروه Valence جبران می شود; Valence band offset; Minority carrier lifetime; Ge-rich SiGe