کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5352816 | 1503568 | 2017 | 24 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The Effect of the number of InGaN/GaN pairs on the photoelectrochemical properties of InGaN/GaN multi quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The cyclic voltammetry data revealed that the saturated photocurrent density increased with increasing number of QW pairs; the photocurrent density of MQW5 was twice that of an nGaN reference. However, in the chronoamperometry measurement of the photoanode stability, MQWs with 3 QWs displayed the highest photocurrent stability, although the saturated photocurrent density was highest for MQW5. This was also confirmed by field-emission scanning electron microscopy of the surface morphology after PEC measurements. The stability and photocurrent density may be attributed to the quality of crystallinity of the MQWs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 401, 15 April 2017, Pages 348-352
Journal: Applied Surface Science - Volume 401, 15 April 2017, Pages 348-352
نویسندگان
Hyojung Bae, Jun-Beom Park, Katsushi Fujii, Hyo-Jong Lee, Sang-Hyun Lee, Sang-Wan Ryu, June Key Lee, Jun-Seok Ha,