کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353067 | 1503579 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface engineering of titanium oxide protected a-Si:H/a-Si:H photoelectrodes for light induced water splitting
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
TiO2 is a common protection layer on semiconductor electrodes for photoelectrochemical water splitting. We investigate the interface formation of TiO2 on amorphous silicon tandem solar cells by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to optimize the contact properties, we prepare TiOx interface layers with various oxygen content by reactive magnetron sputter deposition. We observe, that a TiOx interface layer can reduce the silicon oxide growth during the film deposition on the amorphous silicon, but it forms a non-ohmic contact. The electrochemical investigation shows, that the benefit due to the reduction of the silicon oxide is counteracted by the unfavorable contact formation of TiOx interface layers prepared with low oxygen content.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 389, 15 December 2016, Pages 73-79
Journal: Applied Surface Science - Volume 389, 15 December 2016, Pages 73-79
نویسندگان
Jürgen Ziegler, Florent Yang, Stephan Wagner, Bernhard Kaiser, Wolfram Jaegermann, Félix Urbain, Jan-Philipp Becker, Vladimir Smirnov, Friedhelm Finger,