کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353189 | 1503601 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of the nucleation and quality of graphene grown by low-pressure chemical vapor deposition with acetylene
ترجمه فارسی عنوان
کنترل هسته زنی و کیفیت گرافن رشد شده توسط رسوب بخار شیمیایی کم فشار با استیلن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
- For the first time, we succeeded in the LPCVD growth of monolayer graphene using acetylene as the precursor gas.
- The growth rate is very high when acetylene is used as the source gas. Our process has exhibited the potential to shorten the growth time of CVD graphene.
- We found that the domain size, defects density, layer number and the sheet resistance of graphene can be changed by changing the acetylene flow rates.
- We found that it is also possible to form bilayer graphene using acetylene. However, further study are necessary to reduce the defects density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 366, 15 March 2016, Pages 219-226
Journal: Applied Surface Science - Volume 366, 15 March 2016, Pages 219-226
نویسندگان
Meng Yang, Shinichirou Sasaki, Ken Suzuki, Hideo Miura,