کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353206 | 1503601 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A proposed mechanism for investigating the effect of porous silicon buffer layer on TiO2 nanorods growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- TiO2 nanorods (NRs) are synthesized on silicon and porous silicon (PS) substrates by hydrothermal method.
- TiO2 NRs grown on PS substrates have a better growth compared to those grown on silicon.
- Also increasing substrate porosity leads to an increase in density of the NRs.
- We proposed a growth mechanism to explain how can control the local surface chemical potential.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 366, 15 March 2016, Pages 359-364
Journal: Applied Surface Science - Volume 366, 15 March 2016, Pages 359-364
نویسندگان
N. Rahmani, R.S. Dariani, M. Rajabi,