کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5353206 1503601 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A proposed mechanism for investigating the effect of porous silicon buffer layer on TiO2 nanorods growth
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A proposed mechanism for investigating the effect of porous silicon buffer layer on TiO2 nanorods growth
چکیده انگلیسی

- TiO2 nanorods (NRs) are synthesized on silicon and porous silicon (PS) substrates by hydrothermal method.
- TiO2 NRs grown on PS substrates have a better growth compared to those grown on silicon.
- Also increasing substrate porosity leads to an increase in density of the NRs.
- We proposed a growth mechanism to explain how can control the local surface chemical potential.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 366, 15 March 2016, Pages 359-364
نویسندگان
, , ,