کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353218 | 1503601 | 2016 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sulfur passivation for the formation of Si-terminated Al2O3/SiGe(0Â 0Â 1) interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Effect of wet sulfur passivation on the electrical properties of Al2O3/SiGe(0Â 0Â 1) interfaces has been determined.
- EOT of 2.1Â nm has been achieved for ALD Al2O3 deposited directly on SiGe(0Â 0Â 1) surfaces.
- Sulfur passivation has been found to passivate the Al2O3 interface with SiOAl bonds.
- Sulfur passivation is found to significantly reduce the GeOx or GeOAl content at the Al2O3/SiGe interface therefore improving the reliability.
- Sulfur passivation extends the surface stability prior to oxide ALD to up to an hour with no dramatic change in Dit, Cox or VFB of the resulting devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 366, 15 March 2016, Pages 455-463
Journal: Applied Surface Science - Volume 366, 15 March 2016, Pages 455-463
نویسندگان
Kasra Sardashti, Kai-Ting Hu, Kechao Tang, Sangwook Park, Hyonwoong Kim, Shailesh Madisetti, Paul McIntyre, Serge Oktyabrsky, Shariq Siddiqui, Bhagawan Sahu, Noami Yoshida, Jessica Kachian, Andrew Kummel,