کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353480 | 1503606 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface-diffusion enhanced Ga incorporation in ZnO nanowires by oxygen vacancies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Surface-diffusion enhanced Ga incorporation in ZnO nanowires grown on GaN substrate.
- Uniform distributions of Ga incorporation along ZnO nanowires.
- Diffusion barrier for Ga atoms decreased with the assistance of an oxygen vacancy.
- Two orders of magnitude increase in the surface diffusion coefficient caused by oxygen vacancies on ZnO nanowire sidewalls.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 361, 15 January 2016, Pages 221-225
Journal: Applied Surface Science - Volume 361, 15 January 2016, Pages 221-225
نویسندگان
Jianyu Wang, Huabin Sun, Yun Sheng, Lijun Yang, Fan Gao, Yao Yin, Zheng Hu, Qin Wan, Rong Zhang, Youdou Zheng, Yi Shi,