کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353583 | 1503673 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical gating and rectification in graphene three-terminal junctions
ترجمه فارسی عنوان
جابجایی و اصلاح الکتریکی در اتصالات سه ترمینال گرافن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سه ترمینال اتصال، اصلاح ترانزیستور، تعویض، گرافن، کاربید سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Graphene was grown on semiinsulating silicon carbide at 1800 °C and atmospheric argon pressure. The all carbon T- and Y-shape three terminal junction devices were fabricated using electron beam lithography. All devices featured the negative rectification effect. The exact properties of the devices like the curvature of the output voltage response can be tuned by changing the branch width in the T- and Y-shape devices. Beside the rectification a switching behavior is demonstrated with the same three terminal junctions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 291, 1 February 2014, Pages 87-92
Journal: Applied Surface Science - Volume 291, 1 February 2014, Pages 87-92
نویسندگان
B. Händel, B. Hähnlein, R. Göckeritz, F. Schwierz, J. Pezoldt,