کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353805 | 1503698 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and structure of Si and Ge in vanadium oxide nanomesh on Pd(1Â 1Â 1) studied by STM and DFT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and structure of Si and Ge in vanadium oxide nanomesh on Pd(1Â 1Â 1) studied by STM and DFT Growth and structure of Si and Ge in vanadium oxide nanomesh on Pd(1Â 1Â 1) studied by STM and DFT](/preview/png/5353805.png)
چکیده انگلیسی
⸠We studied the growth and structure of Si and Ge in vanadium oxide nanomesh on Pd(1 1 1) by STM and DFT calculations. ⸠All the Si atoms formed isolated Si nanoclusters. ⸠Some Ge atoms formed monomer Ge nanodots on Pd(1 1 1), while the others formed isolated Ge nanoclusters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 291-295
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 291-295
نویسندگان
Lap Hong Chan, Shinji Hayazaki, Kokushi Ogawa, Junji Yuhara,