کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353805 | 1503698 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and structure of Si and Ge in vanadium oxide nanomesh on Pd(1Â 1Â 1) studied by STM and DFT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⸠We studied the growth and structure of Si and Ge in vanadium oxide nanomesh on Pd(1 1 1) by STM and DFT calculations. ⸠All the Si atoms formed isolated Si nanoclusters. ⸠Some Ge atoms formed monomer Ge nanodots on Pd(1 1 1), while the others formed isolated Ge nanoclusters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 291-295
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 291-295
نویسندگان
Lap Hong Chan, Shinji Hayazaki, Kokushi Ogawa, Junji Yuhara,