کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353816 | 1503698 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantification of strain through linear dichroism in the Si 1s edge X-ray absorption spectra of strained Si1âxGex thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quantification of strain through linear dichroism in the Si 1s edge X-ray absorption spectra of strained Si1âxGex thin films Quantification of strain through linear dichroism in the Si 1s edge X-ray absorption spectra of strained Si1âxGex thin films](/preview/png/5353816.png)
چکیده انگلیسی
⸠Silicon 1s X-ray absorption spectra (XAS) are sensitive to strain in SiGe alloys. ⸠Strain sensitivity arises from XAS linear dichroism differences. ⸠We demonstrate a quantitative relationship between strain and spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 358-362
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 358-362
نویسندگان
W. Cao, M. Masnadi, S. Eger, M. Martinson, Q.-F. Xiao, Y.-F. Hu, J.-M. Baribeau, J.C. Woicik, A.P. Hitchcock, S.G. Urquhart,