کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5354008 | 1503699 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of the graphene growth rate on capped SiC surface under strong Si confinement
ترجمه فارسی عنوان
کنترل سرعت رشد گرافن بر روی سطح سیم کربنی تحت محفظه قوی سی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
⺠Graphene is grown on capped SiC surface with well defined cavity size. ⺠Graphene growth rate linearly increases with the cavity height. ⺠Graphene uniformity is reduced with thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 264, 1 January 2013, Pages 56-60
Journal: Applied Surface Science - Volume 264, 1 January 2013, Pages 56-60
نویسندگان
C. Ãelebi, C. Yanık, A.G. Demirkol, Ä°smet Ä°. Kaya,