کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5354887 | 1503597 | 2016 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen passivation of silicon nanowire structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Silicon nanowire structures (SiNWs) obtained by MACE present low minority carrier lifetime.
- Carrier recombinations in SiNWs are attributed to SRH traps related to SiOx dangling bonds and structural dislocation.
- Hydrogen passivation enhances the effective minority carrier lifetime.
- Hydrogen passivation efficiency of SiNWs is limited by structural dislocation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 370, 1 May 2016, Pages 49-52
Journal: Applied Surface Science - Volume 370, 1 May 2016, Pages 49-52
نویسندگان
S. Aouida, R. Benabderrahmane Zaghouani, N. Bachtouli, B. Bessais,