کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355272 | 1503694 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charging behavior of silicon nitride based non-volatile memory structures with embedded semiconductor nanocrystals
ترجمه فارسی عنوان
رفتار شارژ ساختار حافظه غیر فرار بر پایه نیترید سیلیکون با نانوبلورهای نیمه هادی جاسازی شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
⺠The charging behavior of MNS and MNOS structures containing Si or Ge nanocrystals are studied. ⺠Exponential dependence of injected charge on the charging voltage is obtained and explained. ⺠Contradictory results of memory window measurements are obtained and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 23-28
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 23-28
نویسندگان
Zs.J. Horváth, P. Basa, T. Jászi, K.Z. Molnár, A.E. Pap, Gy. Molnár,