| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5355272 | 1503694 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Charging behavior of silicon nitride based non-volatile memory structures with embedded semiconductor nanocrystals
												
											ترجمه فارسی عنوان
													رفتار شارژ ساختار حافظه غیر فرار بر پایه نیترید سیلیکون با نانوبلورهای نیمه هادی جاسازی شده 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی تئوریک و عملی
												
											چکیده انگلیسی
												⺠The charging behavior of MNS and MNOS structures containing Si or Ge nanocrystals are studied. ⺠Exponential dependence of injected charge on the charging voltage is obtained and explained. ⺠Contradictory results of memory window measurements are obtained and discussed.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 23-28
											Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 23-28
نویسندگان
												Zs.J. Horváth, P. Basa, T. Jászi, K.Z. Molnár, A.E. Pap, Gy. Molnár, 
											