کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5355272 1503694 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charging behavior of silicon nitride based non-volatile memory structures with embedded semiconductor nanocrystals
ترجمه فارسی عنوان
رفتار شارژ ساختار حافظه غیر فرار بر پایه نیترید سیلیکون با نانوبلورهای نیمه هادی جاسازی شده
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
► The charging behavior of MNS and MNOS structures containing Si or Ge nanocrystals are studied. ► Exponential dependence of injected charge on the charging voltage is obtained and explained. ► Contradictory results of memory window measurements are obtained and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 23-28
نویسندگان
, , , , , ,