کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5355505 1388190 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The important role of Mn3+ in the room-temperature ferromagnetism of Mn-doped GaN films
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The important role of Mn3+ in the room-temperature ferromagnetism of Mn-doped GaN films
چکیده انگلیسی
► Mn3+ substituted the Ga sites is believed to be the decisive factor in the origin of room-temperature ferromagnetism. ► The better room-temperature ferromagnetism is given with the higher Mn3+ concentration. ► The bound magnetic polarons (BMP) theory can be used to prove our room-temperature ferromagnetic properties. ► Higher annealing temperature (such as 1150 °C) is not expected because of the second phase MnxGay formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 1, 15 October 2011, Pages 525-529
نویسندگان
, , , , , , , , ,