کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355637 | 1503703 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Identification of nanoscale structure and morphology reconstruction in oxidized a-SiC:H thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Increase of magnetron discharge power results in densification of a-SiC:H thin films. ⺠The denser a-SiC:H material the better resistance to oxidation by oxygen. ⺠Oxidation of soft a-SiC:H films can result in increase of electric conductivity. ⺠Formation of graphitic clusters was found in a-SiC:H after annealing in oxygen.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 260, 1 November 2012, Pages 73-76
Journal: Applied Surface Science - Volume 260, 1 November 2012, Pages 73-76
نویسندگان
A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, K.I. Kholostov, V.P. Bondarenko, S.P. Starik,