کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355668 | 1388195 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improving the photoluminescence properties of self-assembled InAs surface quantum dots by incorporation of antimony
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠This study investigates the surfactant effect and segregation effect from InAs surface quantum dots (SQDs) by incorporating antimony (Sb) into the QD layers. ⺠The Sb surfactant effect can extend planar growth and suppress dot formation. ⺠Photoluminescence reveals an enhancement in the optical properties of InAs SQDs as the Sb BEPs increase. ⺠Transmission electron microscopy images demonstrate that Sb segregates close to the surface of the SQD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 21, 15 August 2011, Pages 8784-8787
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 21, 15 August 2011, Pages 8784-8787
نویسندگان
C.H. Chiang, Y.H. Wu, M.C. Hsieh, C.H. Yang, J.F. Wang, Ross C.C. Chen, L. Chang, J.F. Chen,