کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356260 | 1388202 | 2015 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band alignments at interface of ZnO/FAPbI3 heterojunction by X-ray photoelectron spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The band alignments at the interface of ZnO/HC(NH2)2PbI3 (FAPbI3) heterojunction were measured by X-ray photoelectron spectroscopy. Core levels of Pb 5d and Zn 3d were utilized to align the valence-band offset (VBO). The VBO was determined to be 1.86 ± 0.30 eV, and the conduction-band offset (CBO) was concluded to be 0.05 ± 0.30 eV, manifesting that the ZnO/FAPbI3 heterojunction has a type-I band alignment. The data of the band alignment of ZnO/FAPbI3 heterojunction may benefit the design and development of novel perovskite solar cells (PSCs).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 357, Part B, 1 December 2015, Pages 1743-1746
Journal: Applied Surface Science - Volume 357, Part B, 1 December 2015, Pages 1743-1746
نویسندگان
Tao Ding, Ruifeng Li, Weiguang Kong, Bingpo Zhang, Huizhen Wu,