کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356984 | 1503605 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Depth detection and fabrication of porous silicon without the stress
ترجمه فارسی عنوان
تشخیص عمق و ساخت سیلیکون متخلخل بدون استرس
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Raman measurements showed that the phonon band within the etched layer shifting to lower frequencies is due to quantum confinement of phonons in the porous Si. Comparison of etched Si and bulk Si showed that etched Si exhibit much deeper detectable depth via the Raman spectrometer, presumably resulting from the pore formation. Therefore, the z-scan of Raman spectroscopy can be used to qualitatively detect the etching depth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 362, 30 January 2016, Pages 557-561
Journal: Applied Surface Science - Volume 362, 30 January 2016, Pages 557-561
نویسندگان
Dezhong Cao, Hongdi Xiao, Hangzhou Xu, Qingxue Gao, Jin Ma, Xiangdong Liu, Haiyan Pei,