کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357151 | 1388213 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurizing stacked precursor thin films via successive ionic layer adsorption and reaction method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We fabricated Cu2ZnSnS4 films by sulfurizing stacked films via SILAR method. ⺠The CZTS thin films have kesterite structure and p-type conduction. ⺠The CZTS thin films have good optical and electrical properties for solar cells. ⺠The SILAR method is quite simple and low-cost to prepare CZTS thin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7678-7682
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7678-7682
نویسندگان
Zhenghua Su, Chang Yan, Kaiwen Sun, Zili Han, Fangyang Liu, Jin Liu, Yanqing Lai, Jie Li, Yexiang Liu,