کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357157 | 1388213 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
IR study of fundamental chemical reactions in atomic layer deposition of HfO2 with tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH), ozone, and water vapor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: IR study of fundamental chemical reactions in atomic layer deposition of HfO2 with tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH), ozone, and water vapor IR study of fundamental chemical reactions in atomic layer deposition of HfO2 with tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH), ozone, and water vapor](/preview/png/5357157.png)
چکیده انگلیسی
⺠Fundamental reactions of HfO2 ALD with TEMAH and ozone on Si (1 0 0) surfaces at room temperature were studied. ⺠TEMAH is possible to adsorb at OH sites on water adsorbed Si surfaces at room temperature. ⺠The ozone irradiation on the TEMAH adsorbed Si surface at room temperature is effective in removing hydroaminocarbon adsorbates. ⺠A water vapor treatment at around 160 °C is effective in restoring the adsorption sites. ⺠HfO2 ALD was achieved with a growth temperature of 160 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7726-7731
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7726-7731
نویسندگان
F. Hirose, Y. Kinoshita, K. Kanomata, K. Momiyama, S. Kubota, K. Hirahara, Y. Kimura, M. Niwano,